电路

发明专利无效专利

申请号：
CN200710153390.6
IPC分类号：H03K17/14;H02M7/538;H02P8/00
申请日期：
2003-01-17
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	电路
申请号	CN200710153390.6	申请日期	2003-01-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-02-20	公开/公告号	CN101127519
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K17/14 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K17/00 电子开关或选通，即不通过通断接触的（选通放大器入H03F 3/72；使用静态器件的交换系统的开关装置入H04Q 3/52） H03K17/14 补偿物理量（例如温度）变化的改进〔3〕	IPC分类号	H;0;3;K;1;7;/;1;4;;;H;0;2;M;7;/;5;3;8;;;H;0;2;P;8;/;0;0查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县厚木市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	木村肇;渡边康子
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	张雪梅;王小衡

摘要

对于晶体管，由于制造工艺和所使用基片的不同出现栅极绝缘膜的变化以及由此在沟道形成区结晶状态的变化等因素是部分一致的，因此产生晶体管的阈值电压和迁移率的变化。本发明提供一种使用整流型器件的电路，其中当在该器件两端的电极施加电位差时，仅在单一方向产生电流。其次，本发明提供一种电路，它利用了一个事实，即当信号电压被输入到整流型器件的一个端子时，另一端子的电位成为只被整流型器件的阈值电压补偿的电位。

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