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一种扩散后低方阻硅片返工的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310719573.5
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2013-12-20
  • 申请人:
    浙江正泰太阳能科技有限公司
著录项信息
专利名称一种扩散后低方阻硅片返工的方法
申请号CN201310719573.5申请日期2013-12-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-04-09公开/公告号CN103715300A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人浙江正泰太阳能科技有限公司申请人地址
浙江省杭州市滨江区滨安路1335号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江正泰太阳能科技有限公司当前权利人浙江正泰太阳能科技有限公司
发明人李旺;韩玮智;牛新伟;王仕鹏;黄海燕;陆川
代理机构北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)代理人冯谱
摘要
本发明公开了一种扩散后低方阻硅片返工的方法,该方法包括:将待返工硅片置于扩散炉中;向所述扩散炉中通入保护气体;在650℃~740℃的温度下,对所述待返工硅片进行保温;对所述待返工硅片进行出炉操作。采用本发明提供的返工方法,可以在不重新进行制绒的情况下,对方阻低于正常值的不合格硅片进行返工,使其方阻值提升至正常水平。本发明的方法节省了步骤,工艺简单易操作,可显著提高低方阻硅片的返工效率,并显著提高后续制造的太阳能电池的光电转换效率。

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