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一种分层结构的氧化锡空心六边形纳米片及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210153308.0
  • IPC分类号:C01G19/02;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2012-05-17
  • 申请人:
    华东理工大学
著录项信息
专利名称一种分层结构的氧化锡空心六边形纳米片及其制备方法
申请号CN201210153308.0申请日期2012-05-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-08-15公开/公告号CN102633298A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G19/02IPC分类号C;0;1;G;1;9;/;0;2;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人华东理工大学申请人地址
上海市徐汇区梅陇路130号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华东理工大学当前权利人华东理工大学
发明人顾锋;马春荣;李春忠;邵玮;江浩
代理机构上海新天专利代理有限公司代理人胡红芳
摘要
本发明涉及一种分层结构的氧化锡空心六边形纳米片及其制备方法,所述纳米片由2~10nm的纳米颗粒组装而成,并形成多层空心六边形纳米片结构,空腔直径150~400nm,单层壁厚10~30nm。制备方法如下:以六边形氢氧化镉纳米片为模板,将其分散在水溶液中,然后加入锡盐,混合后在一定温度下进行水热处理,洗净后即可得到氧化锡纳米片。重复上述操作,即可得到多层结构的空心氧化锡纳米片。本发明的制备方法反应过程简单,易控制。该氧化锡结构新颖,在薄膜电阻器、敏感材料、光电子器件和电极材料等领域有良好的应用前景。

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