首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

用于制备III‑N单晶的方法以及III‑N单晶

发明专利有效专利

申请号：
CN201380015539.8
IPC分类号：C30B25/02;C30B29/40;H01L21/02;C30B25/18
申请日期：
2013-03-21
申请人：
弗赖贝格化合物原料有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于制备III‑N单晶的方法以及III‑N单晶
申请号	CN201380015539.8	申请日期	2013-03-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-02-18	公开/公告号	CN104364429A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 C30B25/02 外延层生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;C;3;0;B;2;5;/;1;8查看分类表>
申请人	弗赖贝格化合物原料有限公司	申请人地址	德国弗赖贝格变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	弗赖贝格化合物原料有限公司	当前权利人	弗赖贝格化合物原料有限公司
发明人	M·格林德尔;F·布儒纳;E·里希特;F·哈贝尔;M·魏尔斯
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	柳冀

摘要

本发明涉及制备III‑N模板，并且还涉及制备III‑N单晶，其中III表示元素周期表第三主族的至少一种选自Al、Ga和In的元素。通过在晶体生长过程中设定特定的参数，可以获得III‑N模板，该模板为在异质衬底上生长的晶体层赋予获得模板形式或甚至具有大的III‑N层厚的无裂纹III‑N单晶的特性。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供