下降法生长大尺寸碘化铯(CsI)晶体新技术

发明专利无效专利

申请号：
CN94112210.7
IPC分类号：--
申请日期：
1994-06-23
申请人：
中国科学院上海硅酸盐研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	下降法生长大尺寸碘化铯(CsI)晶体新技术
申请号	CN94112210.7	申请日期	1994-06-23
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1995-12-27	公开/公告号	CN1113970
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院上海硅酸盐研究所	申请人地址	上海市定西路1295号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所	当前权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人	沈定中;殷之文;袁湘龙;张黎星;李培俊;邓群
代理机构	上海华东专利事务所	代理人	潘振苏

摘要

本发明关于坩埚下降法生长优质碘化铯晶体，属于晶体生长领域。用通常石英坩埚下降法生长大尺寸CsI晶体的主要问题是石英坩埚容易开裂，晶体应力大，多晶严重，容易开裂，性能也差。本发明的核心是减少大尺寸晶体应力及定向生长，主要技术包括正确选用铂坩埚，选好晶体生长方向及包种接种技术，有一整套减少生长缺陷和I-空位的措施。完整的工业化生长大尺寸CsI晶体的工艺技术。按本发明生长出来的大尺寸纯CsI晶体能量分辨率与光产额高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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