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半导体外延结构、半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410777695.4
  • IPC分类号:H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06
  • 申请日期:
    2014-12-15
  • 申请人:
    苏州捷芯威半导体有限公司
著录项信息
专利名称半导体外延结构、半导体器件及其制造方法
申请号CN201410777695.4申请日期2014-12-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-03-11公开/公告号CN104409499A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/778
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人苏州捷芯威半导体有限公司申请人地址
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-B室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州捷芯威半导体有限公司当前权利人苏州捷芯威半导体有限公司
发明人裴轶;刘飞航;张乃千
代理机构北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)代理人吴开磊
摘要
本发明公开了一种半导体外延结构、半导体器件及其制造方法,半导体外延结构包括衬底和位于衬底上的半导体外延层,衬底与半导体外延层实现完整分离后,在半导体外延层背面覆盖有高导热率绝缘层,高导热率绝缘层的导热率高于衬底的导热率;该半导体器件包括半导体外延结构和位于半导体外延结构中半导体外延层正面上的源极、漏极、以及栅极。本发明可以实现衬底材料的重复利用,既保证了半导体外延层的晶体质量,又降低了材料成本,还省去了后续针对衬底材料的减薄工艺,简化了工艺,降低了工艺成本,提高了工艺成品率;并且高导热率绝缘层可以显著改善器件散热能力,并且避免衬底漏电和击穿问题出现,大大提高了器件的性能和可靠性。

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