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一种细化TiAl基合金片层间距的热处理工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710119766.1
  • IPC分类号:C22F1/18
  • 申请日期:
    2007-07-31
  • 申请人:
    北京航空航天大学
著录项信息
专利名称一种细化TiAl基合金片层间距的热处理工艺
申请号CN200710119766.1申请日期2007-07-31
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-01-09公开/公告号CN101100731
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C22F1/18IPC分类号C;2;2;F;1;/;1;8查看分类表>
申请人北京航空航天大学申请人地址
北京市海淀区学院路37号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京航空航天大学当前权利人北京航空航天大学
发明人马岳;赵勇;裴延玲;宫声凯;徐惠彬
代理机构北京永创新实专利事务所代理人周长琪
摘要
本发明公开了一种细化TiAl基合金片层间距的热处理工艺,该热处理工艺适用于Al含量45at%~51at%的TiAl基合金的片层间距细化、或者Al含量42at%~46at%、铌含量5at%~10at%的高铌TiAl基合金的片层间距细化。本发明的热处理工艺针对经过浇铸或凝壳成型的全片层TiAl基合金铸锭,首先进行均匀化和热等静压处理,然后在α+γ双相区进行循环时效处理,通过控制加热速度、冷却速度、保温温度、保温时间等相应参数,可有效控制并细化TiAl基合金组织的片层间距,同时保持TiAl基合金的宏观片层形态。

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