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一种双大马士革集成工艺方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510366840.4
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2015-06-29
  • 申请人:
    上海集成电路研发中心有限公司
著录项信息
专利名称一种双大马士革集成工艺方法
申请号CN201510366840.4申请日期2015-06-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-10-07公开/公告号CN104966694A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人上海集成电路研发中心有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高斯路497号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海集成电路研发中心有限公司当前权利人上海集成电路研发中心有限公司
发明人胡正军;李铭;陈寿面;赵宇航;周炜捷
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人吴世华;林彦之
摘要
本发明公开了一种双大马士革集成工艺方法,通过干法刻蚀在超低k介电材料层形成双大马士革结构后,进行第一次等离子体处理使双大马士革结构侧壁处的超低k介电材料改性成为二氧化硅,从而在后续的湿法工艺中可以防止药液渗入超低k介电材料的微孔,避免其对双大马士革结构的影响;在湿法工艺后,对其再进行第二次等离子体处理,使双大马士革结构侧壁处的二氧化硅再改性成为超低k介电材料,可避免湿法工艺对超低k介电材料造成的介质损伤,并能够充分利用现有真空腔体,容易实现工艺整合。

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