在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810102203.6
IPC分类号：G01N19/00;G01N3/00
申请日期：
2008-03-19
申请人：
中国科学院半导体研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法
申请号	CN200810102203.6	申请日期	2008-03-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-09-23	公开/公告号	CN101539505
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N19/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N19/00 用机械方法测试材料（G01N 3/00至G01N 17/00优先）	IPC分类号	G;0;1;N;1;9;/;0;0;;;G;0;1;N;3;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	周振宇;陈涌海
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周国城

摘要

本发明是一种在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法。所述方法包括选取一压电陶瓷致动器，所述压电陶瓷致动器能够通过对改变压电陶瓷的偏压调节所施加的应力；将两个“U”形紫铜帽固定在所述压电陶瓷致动器两端，用于固定样品和导热；使用一紫铜导热丝连接在一所述紫铜帽上，用于实现均匀迅速导热；使用强力胶将半导体样品两端粘结在两个“U”形铜块上；改变压电陶瓷致动器上压电陶瓷的偏压，对所述半导体样品施加连续可调单轴应力。该方法中，单轴应力的大小连续双向可调，可测量，样品降温迅速准确，装置所占体积小，操作简便，可以与低温装置完美结合。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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