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物理实验用多波长高功率半导体激光器耦合装置

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201620335661.4
  • IPC分类号:G02B6/42
  • 申请日期:
    2016-04-20
  • 申请人:
    何景瓷
著录项信息
专利名称物理实验用多波长高功率半导体激光器耦合装置
申请号CN201620335661.4申请日期2016-04-20
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/42IPC分类号G;0;2;B;6;/;4;2查看分类表>
申请人何景瓷申请人地址
江西省九江市庐山区十里大道1188号九江职业技术学院信息工程学院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人何景瓷当前权利人何景瓷
发明人何景瓷
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本实用新型公开了物理实验用多波长高功率半导体激光器耦合装置,所述第一板块的右侧内部开设有第一安装孔,所述第二板块、第三板块、第四板块和第五板块的基体上分别贯通开设有与第一安装孔数量、高度相同的第二安装孔、第三安装孔、第四安装孔和第五安装孔,所述第一安装孔、第二安装孔、第三安装孔、第四安装孔和第五安装孔分别安装有半导体激光器、快轴准直镜、慢轴准直镜、凹面镜和柱体,所述柱体的左端安装有光纤探头,所述光纤探头位于凹面镜的焦点处,所述光纤探头与数字示波器电性连接;该多波长高功率半导体激光器耦合装置具有可进行多种光的波长实验、功率高等优点,适合大规模推广。

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