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半导体器件的栅极预掺杂方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910196427.2
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/28
  • 申请日期:
    2009-09-25
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件的栅极预掺杂方法
申请号CN200910196427.2申请日期2009-09-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-04-27公开/公告号CN102034710A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人赵猛
代理机构北京德琦知识产权代理有限公司代理人牛峥;王丽琴
摘要
本发明公开了一种半导体器件的栅极预掺杂方法,该方法应用于栅极的预掺杂过程,所述半导体器件衬底上依次形成有栅氧化层和多晶硅层,该方法包括:将氟和用于形成非晶态层的无机物离子注入到多晶硅层后,将预掺杂杂质离子注入到多晶硅层;光刻栅氧化层和多晶硅层形成栅极,再次氧化并刻蚀得到偏移量侧墙后,对半导体器件衬底表面及栅极表面进行轻掺杂;快速退火。本发明提供的方法解决的问题为:保证半导体器件性能能满足要求的情况下,在预掺杂过程中防止预掺杂杂质磷穿透栅极;且降低栅极电阻、减少栅氧化层的电学厚度、及改善栅极的耗尽效应。

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