一种超材料及MRI磁信号增强器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201210133059.9
IPC分类号：H01Q15/00;G01R33/56;A61B5/055
申请日期：
2012-04-28
申请人：
深圳光启创新技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种超材料及MRI磁信号增强器件
申请号	CN201210133059.9	申请日期	2012-04-28
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-09-19	公开/公告号	CN102683880A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q15/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q15/00 用于对天线辐射波进行反射、折射、绕射或极化的装置，例如准光学装置（用于改变方向性的可变装置入H01Q 3/00；用于引导电波的此种装置的构成入H01P 3/20；用于调制的可变装置入H03C 7/02）〔1，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;Q;1;5;/;0;0;;;G;0;1;R;3;3;/;5;6;;;A;6;1;B;5;/;0;5;5查看分类表>
申请人	深圳光启创新技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区高新中一道9号软件大厦2楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳光启高等理工研究院	当前权利人	深圳光启高等理工研究院
发明人	刘若鹏;栾琳;郭洁;杨学龙;郭文鹏
代理机构	北京成创同维知识产权代理有限公司	代理人	柳兴坤

摘要

本发明提供一种超材料，包括多个阵列排布的超材料单元，超材料单元由基板和附着在基板上的人造微结构组成，人造微结构为两个开口互相正对的开口谐振环结构，开口谐振环结构包括单开口谐振环和从单开口谐振环的两末端点分别向环内部螺旋延伸出的两条螺旋线，两条螺旋线互不相交且均不与单开口谐振环相交，螺旋线为方形螺旋线或方形螺旋线的衍生结构。该超材料具有高负磁导率，基于该高负磁导率超材料，本发明还提供一种MRI磁信号增强器件，MRI磁信号增强器件利用负磁导率超材料的磁导率为负这一特性，达到磁信号增强的效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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