一种IO口间无相互干扰的低电容多通道瞬态电压抑制器

发明专利无效专利

申请号：
CN201410673950.0
IPC分类号：H01L27/02;H01L27/06;H01L21/8222;H01L21/265
申请日期：
2014-11-21
申请人：
杭州启沛科技有限公司

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专利名称	一种IO口间无相互干扰的低电容多通道瞬态电压抑制器
申请号	CN201410673950.0	申请日期	2014-11-21
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-25	公开/公告号	CN104465649A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人	杭州启沛科技有限公司	申请人地址	浙江省绍兴市舜江路683号21楼2111室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	绍兴米来电子科技有限公司	当前权利人	绍兴米来电子科技有限公司
发明人	蔡银飞;翟东媛;蒋金鸿;朱俊;赵毅
代理机构	南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙）	代理人	陈建和

摘要

低电容多通道瞬态电压抑制器，包括P+半导体衬底，P‑外延层位于P+半导体衬底上；外延层上从左到右分别有包含第一环形P+有源注入区的左端，第一N阱，第一环形P+有源注入区的右端，第二N阱，第一P阱，第三N阱，第二环形P+有源注入区的左端，第四N阱，第二环形P+有源注入区的右端。所述的第一N阱和第四N阱上分别设有第一N+有源注入区和第五N+有源注入区；所述的第二N阱上设有第二N+有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一P阱上设有第三N+有源注入区；所述的第三N阱上设有第四N+有源注入区和第三P+有源注入区。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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