相移掩模板、相移掩模光刻设备以及相移掩模板的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810459879.4
IPC分类号：G03F1/26
申请日期：
2018-05-15
申请人：
睿力集成电路有限公司

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著录项信息

专利名称	相移掩模板、相移掩模光刻设备以及相移掩模板的制作方法
申请号	CN201810459879.4	申请日期	2018-05-15
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-24	公开/公告号	CN108445707A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/26 相移掩膜〔PSM〕；PSM空白；其制备〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;2;6查看分类表>
申请人	睿力集成电路有限公司	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	不公告发明人
代理机构	北京市铸成律师事务所	代理人	张臻贤;武晨燕

摘要

本发明提供了一种相移掩模板，将透光区分为不透光区两侧分别相邻的第一透光区和第二透光区，且第一透光区和第二透光区交替分布，由于第一透光区的厚度与第二透光区的厚度之间形成有预设高度差，分别通过第一透光区和第二透光区的两条光束之间形成180度的相位差，使得第一出射光束与第二出射光束抵消于相移掩模板下方的晶圆表面上的暗区图案处，以修正暗区图案，使得在晶圆表面形成的暗区图案的条纹宽度一致，提高了晶圆表面的光刻图形的图像分辨率。本发明还提供了一种相移掩模光刻设备以及一种相移掩模板的制作方法，具有上述技术效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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