一种IGBT集电极和发射极间电压不停机测量系统及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011308382.6
IPC分类号：G01R31/26
申请日期：
2020-11-20
申请人：
电子科技大学

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专利名称	一种IGBT集电极和发射极间电压不停机测量系统及方法
申请号	CN202011308382.6	申请日期	2020-11-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-01-12	公开/公告号	CN112213609A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	伍伟;李岩松;陈勇
代理机构	成都正华专利代理事务所（普通合伙）	代理人	李蕊

摘要

本发明公开了一种IGBT集电极和发射极间电压不停机测量系统及方法，系统包括外加电流源ID、二极管D1、二极管D2、第一减法器、第二减法器、第三减法器、差分模块和加法器。本发明基于二极管的个体差异对于测量结果的直接影响，通过完善的电路结构计算出二极管的压降偏差，并将此偏差补偿到最终的测试结果中作为最终的测量值输出。本发明提高了测量的精度，使得Vce,on的测量值更加准确，有利于预测目标IGBT的寿命，评估目标IGBT的可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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