一种基于嵌入式自旋转移力矩磁随机存储器的SoC存储系统

发明专利有效专利

申请号：
CN201911154402.6
IPC分类号：G06F15/78
申请日期：
2019-11-22
申请人：
华中科技大学;浙江驰拓科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种基于嵌入式自旋转移力矩磁随机存储器的SoC存储系统
申请号	CN201911154402.6	申请日期	2019-11-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-04-07	公开/公告号	CN110968544A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F15/78 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F15/00 通用数字计算机（零部件入G06F 1/00至G06F 13/00组）；通用数据处理设备 G06F15/76 计算机程序存储的通用架构（带程序插板的入G06F15/08，多计算机的入G06F15/16）〔5，6，2006.01〕 G06F15/78 包括单个中央处理单元的〔5〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;5;/;7;8查看分类表>
申请人	华中科技大学;浙江驰拓科技有限公司	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学,浙江驰拓科技有限公司	当前权利人	华中科技大学,浙江驰拓科技有限公司
发明人	刘冬生;刘星杰;卢楷文;张聪;刘波
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	李智

摘要

本发明公开了一种基于嵌入式自旋转移力矩磁随机存储器的SoC存储系统，包括：存储器控制模块、eSTT‑MRAM；所述存储器控制模块用于分别采用三组存储器控制信号对eSTT‑MRAM进行取指、读写和程序下载操作，完成对eSTT‑MRAM的时分复用；所述eSTT‑MRAM用于使电流极化形成自旋电流，并通过自旋电流中的自旋电子将自旋矩传递给自由层的磁矩，使其依据自旋电流的方向而发生转动，实现写入信息“0”或“1”，存储速度快。通过将eSTT‑MRAM划分为更多的功能区，将不同类型的传统存储器在SoC中执行的功能集中在一片eSTT‑MRAM上，实现功能更复杂的单一存储系统，大大提高了系统的存储速度，减小了存储系统的面积。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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