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闪存存储器的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810044010.X
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/8247
  • 申请日期:
    2008-11-25
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称闪存存储器的制作方法
申请号CN200810044010.X申请日期2008-11-25
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2010-06-16公开/公告号CN101740386A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人吕煜坤;孙娟
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种闪存存储器的制作方法,在形成栅极氮化硅侧墙之后包括以下步骤:1)在硅片表面淀积一层氧化膜薄膜;2)接着淀积一层氮化膜;3)对步骤2)中淀积氮化膜进行反刻,在栅极结构上方和硅片表面的其他区域刻蚀到氧化膜层,形成平缓的氮化膜侧墙;4)接着进行源漏的离子注入;5)去除步骤3)中形成的氮化膜侧墙;6)湿法去除步骤1)中的氧化膜薄膜;7)在硅片表面淀积层间膜薄膜。本发明在降低器件的截止电流的同时不会改变器件的其他特性。

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