非易失性CMOS忆阻器及其构成的可重构阵列架构

发明专利有效专利

申请号：
CN202110254589.8
IPC分类号：H03K3/3562;H03K3/45
申请日期：
2021-03-09
申请人：
湖南大学

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专利名称	非易失性CMOS忆阻器及其构成的可重构阵列架构
申请号	CN202110254589.8	申请日期	2021-03-09
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-29	公开/公告号	CN113054954A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K3/3562 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K3/00 用于产生电脉冲的电路；单稳态，双稳态或多稳态电路（H03K 4/00优先；用于计算机的数字函数发生器入G06F 1/02）〔5〕 H03K3/02 按电路类型或用于产生脉冲的其他方法为特征而区分的发生器（H03K 3/64至H03K 3/84优先） H03K3/353 应用具有内部或外部正反馈的场效应晶体管作为有源元件的（H03K 3/023，H03K 3/027优先）〔2，3〕 H03K3/356 双稳态发生器〔3〕 H03K3/3562 主从型的〔6〕	IPC分类号	H;0;3;K;3;/;3;5;6;2;;;H;0;3;K;3;/;4;5查看分类表>
申请人	湖南大学	申请人地址	湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号湖南大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖南大学	当前权利人	湖南大学
发明人	王春华;邓全利;徐聪;洪庆辉;孙晶茹
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种CMOS差分输入电流传输跨导放大器电路(VDCCTA)，以及基于VDCCTA构成的忆阻器电路和由忆阻器构成的可重构交叉阵列。VDCCTA的电流输出端Z端可实现有信号输入时输出阻值为有限值，无信号输入时输出阻值趋于无穷大的特性。由所提出的VDCCTA电路构成的接地型和浮地型忆阻器具有非易失的特性，可以用于多种忆阻器的应用电路(忆阻器神经网络电路，忆阻器混沌电路等)。为解决普遍存在于由忆阻器构成阵列电路中的漏电路径问题，本发明提出了由行列双开关控制的2S1R忆阻器可重构阵列。提出的忆阻器电路及忆阻器可重构阵列电路结构灵活应用领域广泛。

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