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半导体装置和半导体装置的击穿电压控制方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010279151.7
  • IPC分类号:H01L21/8238
  • 申请日期:
    2010-09-08
  • 申请人:
    瑞萨电子株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置和半导体装置的击穿电压控制方法
申请号CN201010279151.7申请日期2010-09-08
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-04-13公开/公告号CN102013413A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/8238
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人瑞萨电子株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瑞萨电子株式会社当前权利人瑞萨电子株式会社
发明人田畑贵史
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人孙志湧;穆德骏
摘要
本发明涉及半导体装置和半导体装置的击穿电压控制方法。半导体装置基于第一电压、低于第一电压的第二电压、以及处于第一和第二电压之间的第三电压进行操作,并且包括:输出电路,该输出电路至少包括一个其中具有从第二到第一电压的范围的振幅的信号被输入到栅极的晶体管;和控制电路,该控制电路生成控制被包括在输出电路中的晶体管的栅极电压的第一控制信号、控制晶体管的背栅区域中的电压的第二控制信号、以及控制深阱区域中的电压的第三控制信号。控制电路将第一和第二控制信号之间的电压差设置为等于或者小于第一和第三电压之间的电压差以及第二和第三电压之间的电压差中的较大的一个。

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