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一种切割方法及键合方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202211204650.9
  • IPC分类号:H01L21/78
  • 申请日期:
    2022-09-29
  • 申请人:
    武汉新芯集成电路制造有限公司
著录项信息
专利名称一种切割方法及键合方法
申请号CN202211204650.9申请日期2022-09-29
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2022-12-02公开/公告号CN115424981A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/78IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;8查看分类表>
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司申请人地址
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉新芯集成电路制造有限公司当前权利人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人龙俊舟;陶超;王力
代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘芬芬
摘要
本申请公开了一种切割方法及键合方法,该切割方法包括提供基底,包括相背设置的第一表面和第二表面,形成有若干器件区和相邻器件区之间的间隔区;将第一表面与第一承载件贴合;在第二表面形成保护层;在保护层上形成第一开口,第一开口贯穿间隔区所对应的保护层并暴露第二表面;在第一开口下方的间隔区内形成第二开口,第二开口从第二表面向第一表面延伸至预期深度,第二开口背离第一开口一侧的剩余基底形成黏连部;对第一承载件进行扩张形变处理,黏连部断开且基底分离形成相互分离的多个器件;将多个器件远离第一承载件的一面与第二承载件贴合;去除第一承载件。通过上述方式,可以改善扩膜后传送过程中的器件剥离、移位以及堆叠的情况。

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