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薄膜晶体管及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410766417.9
  • IPC分类号:H01L29/786
  • 申请日期:
    2014-12-11
  • 申请人:
    昆山国显光电有限公司
著录项信息
专利名称薄膜晶体管及其制备方法
申请号CN201410766417.9申请日期2014-12-11
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2015-03-11公开/公告号CN104409518A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人昆山国显光电有限公司申请人地址
四川省成都市高新区天映路146号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人成都辰显光电有限公司当前权利人成都辰显光电有限公司
发明人赵海廷;魏朝刚;刘青刚
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人唐清凯
摘要
本发明公开一种薄膜晶体管及其制备方法,薄膜晶体管包括:基板;多晶硅半导体层,包括沟道区、源极和漏极及至少一个轻掺杂漏区;栅绝缘层,包括下层的氧化硅层,及上层的氮化硅层或氮氧化硅层,下层的氧化硅层覆盖沟道区、源极、漏极及轻掺杂漏区,上层的氮化硅层或氮氧化硅层沉积于下层的氧化硅层上且仅覆盖轻掺杂漏区和沟道区;及栅极层,设置在上层的氮化硅层或氮氧化硅层之上且仅覆盖沟道区。多晶硅半导体层上设置双层栅绝缘层,通过一次光刻工艺,使源漏极、沟道区及轻掺杂漏区上的膜层结构不同,然后仅通过一次离子注入即可完成LDD轻掺杂和源漏区重掺杂,简化工艺步骤,节约成本,LDD掺杂和源漏区掺杂均为自对准掺杂,晶体管的电学特性较佳。

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