基于集电极漏电流的IGBT健康状态监测方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510658959.9
IPC分类号：G01R31/26
申请日期：
2015-10-13
申请人：
中国人民解放军海军工程大学

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著录项信息

专利名称	基于集电极漏电流的IGBT健康状态监测方法
申请号	CN201510658959.9	申请日期	2015-10-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-12-16	公开/公告号	CN105158670A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人	中国人民解放军海军工程大学	申请人地址	湖北省武汉市硚口区解放大道717号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军海军工程大学	当前权利人	中国人民解放军海军工程大学
发明人	刘宾礼;罗毅飞;汪波;肖飞;夏燕飞;熊又星;孙文;陈路珈
代理机构	武汉开元知识产权代理有限公司	代理人	马辉

摘要

本发明提供了一种IGBT集电极漏电流健康状态监测方法，包括以下步骤首先经检测合格的IGBT模块，安装调试完毕，投入使用之前，在一定条件下测试其集电极漏电流并记录为初始值；定期测试IGBT器件的集电极漏电流并记录为测试值；将测试值带入集电极漏电流健康状态监测方法仿真模型中，即可计算出IGBT器件的疲劳老化进程与剩余寿命，达到监测IGBT健康状态的目的；当集电极漏电流偏离程度达到失效标准时，判定为器件失效，此时需对IGBT器件进行更换，并重复上述步骤。本发明通过初始状态标定与实时监测，即可对处于不同寿命阶段的IGBT器件健康状态与可靠性进行有效评估。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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