单片集成的CMOS加MEMS的微加热器及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811631727.4
IPC分类号：B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
申请日期：
2018-12-29
申请人：
杭州北芯传感科技有限公司

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著录项信息

专利名称	单片集成的CMOS加MEMS的微加热器及制备方法
申请号	CN201811631727.4	申请日期	2018-12-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-03-15	公开/公告号	CN109467044A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	杭州北芯传感科技有限公司	申请人地址	浙江省杭州市萧山区经济技术开发区启迪路198号B-3A02-20 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州北芯传感科技有限公司	当前权利人	杭州北芯传感科技有限公司
发明人	李晓波;蒋一博
代理机构	北京方安思达知识产权代理有限公司	代理人	王宇杨

摘要

本发明公开了单片集成的CMOS加MEMS的微加热器及制备方法,所述集成CMOS加MEMS的热膜结构微加热器包括：在CMOS结构表面形成的绝热层；在绝热层表面形成的绝缘层Ⅰ；在绝热层及绝缘层Ⅰ上干法刻蚀出用于与电极柱子连接的pad的开口；在绝缘层Ⅰ表面形成的电极柱子；在电极柱子之间形成空腔及悬空加热结构；加热结构由下到上依次为支撑层，绝缘层，台阶结构层，加热层及钝化层；绝缘层覆盖在支撑层上；台阶结构层位于所述绝缘层上；加热层覆盖在含所述支撑层，绝缘层、台阶结构层的复合结构上、并覆盖电极柱子的上表面；钝化层覆盖所述加热层；所述绝热层的CMOS/ASIC电路与电极柱子连接；绝缘层Ⅰ、电极柱子、支撑层共同形成悬空加热器结构的空腔。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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