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将一施覆的基材作线型构造化以制造薄层太阳电池模块的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210272280.2
IPC分类号：H01L31/18;H01L21/66
申请日期：
2012-08-01
申请人：
耶恩光学自动化技术股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	将一施覆的基材作线型构造化以制造薄层太阳电池模块的方法
申请号	CN201210272280.2	申请日期	2012-08-01
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2013-02-06	公开/公告号	CN102916074A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	耶恩光学自动化技术股份有限公司	申请人地址	德国耶拿变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	耶恩光学自动化技术股份有限公司	当前权利人	耶恩光学自动化技术股份有限公司
发明人	尤格·海奇格;萨巴斯汀·史丹巴赫;法兰克·杉朵
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	黄灿;程美琼

摘要

一种将一施覆的基材作线型构造化以制造薄层太阳电池模块的方法，其中在一上层结构平面内产生与一下层结构平面内已有沟槽之分布相匹配的沟槽，为此需用推导自所述已有沟槽之影像的控制因子沿y向控制构造化工具(8)，并且使该基材(1)在该构造化工具(8)下方来回移动。仅在正向送料时拍摄用以侦测已有沟槽的影像。在正向及反向送料时开设沟槽。

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