一种半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010988634.8
IPC分类号：H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/0693;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2020-09-18
申请人：
苏州长光华芯光电技术有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体器件及其制造方法
申请号	CN202010988634.8	申请日期	2020-09-18
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-18	公开/公告号	CN112103352A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0256 以材料为特征的〔5〕 H01L31/0264 无机材料〔5〕 H01L31/0304 除掺杂或其他杂质外，只包含AⅢBⅤ化合物的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;0;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;9;3;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	苏州长光华芯光电技术有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司	申请人地址	江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司,苏州长光华芯光电技术股份有限公司	当前权利人	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司,苏州长光华芯光电技术股份有限公司
发明人	王俊;苟于单;程洋;肖啸;郭银涛;周立
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司	代理人	刘林涛

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明公开的半导体器件包括：隧道结，隧道结包括p型半导体层和n型半导体层。n型半导体层中掺杂有第一导电离子和第二导电离子，第一导电离子的半径小于第二导电离子的半径，第二导电离子的饱和掺杂浓度大于第一导电离子的饱和掺杂浓度。本发明的半导体器件中n型半导体层的第一导电离子的半径小于第二导电离子的半径，第二导电离子的饱和掺杂浓度大于第一导电离子的饱和掺杂浓度，采用第一导电离子和第二导电离子共掺杂的方式，可以有效的提高总掺杂浓度，并且不易发生晶格失配，进而可实现较高的隧穿峰值电流，可满足较高的隧穿电流需求。

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