利用了受光发光一体型元件的受光发光装置及传感器装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201280052356.9
IPC分类号：H01L31/12;H01L31/10
申请日期：
2012-10-30
申请人：
京瓷株式会社

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著录项信息

专利名称	利用了受光发光一体型元件的受光发光装置及传感器装置
申请号	CN201280052356.9	申请日期	2012-10-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-25	公开/公告号	CN103890973A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/12 与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的（场致发光光源本身入H05B 33/00）〔2，5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0查看分类表>
申请人	京瓷株式会社	申请人地址	日本京都府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京瓷株式会社	当前权利人	京瓷株式会社
发明人	奥芝浩之
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	齐秀凤

摘要

本发明提供一种利用了受光发光一体型元件的受光发光装置及传感器装置。本发明的受光发光装置是利用了受光元件和发光元件被设置在基板的一个主面上的受光发光一体型元件的受光发光装置，基板由一导电型半导体构成，在基板的另一个主面的至少与受光元件以及发光元件对应的区域配置至少一个电极层，受光元件具有形成在基板的一个主面侧的第1另一导电型半导体层、形成在第1另一导电型半导体层的上表面的第1阳极电极、和形成在基板的一个主面的上表面的第1阴极电极，电极层、第1阳极电极以及第1阴极电极被设为相同电位。

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