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高纯度羧酸酯及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201680056934.4
  • IPC分类号:C07C67/56;B01J39/05;B01J39/20;B01J41/07;B01J41/13;B01J47/028;C07C69/675;C07C69/68
  • 申请日期:
    2016-09-27
  • 申请人:
    三菱瓦斯化学株式会社
著录项信息
专利名称高纯度羧酸酯及其制造方法
申请号CN201680056934.4申请日期2016-09-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-06-08公开/公告号CN108137476A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C07C67/56IPC分类号C;0;7;C;6;7;/;5;6;;;B;0;1;J;3;9;/;0;5;;;B;0;1;J;3;9;/;2;0;;;B;0;1;J;4;1;/;0;7;;;B;0;1;J;4;1;/;1;3;;;B;0;1;J;4;7;/;0;2;8;;;C;0;7;C;6;9;/;6;7;5;;;C;0;7;C;6;9;/;6;8查看分类表>
申请人三菱瓦斯化学株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三菱瓦斯化学株式会社当前权利人三菱瓦斯化学株式会社
发明人宗安邦明
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
利用本发明能够提供一种高纯度羧酸酯,其中,作为金属杂质的Ag、Al、Au、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Mg、Na、Sn和Zn的各自的含有率低于1ppb、阴离子性杂质的含有率低于1ppm。另外,利用本发明能够提供一种高纯度羧酸酯的制造方法,其包括将包含作为金属杂质的Ag、Al、Au、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Mg、Na、Sn和Zn与阴离子性杂质的粗羧酸酯与阳离子交换树脂(II)接触的工序;和接着与阴离子交换树脂(III)接触的工序。

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