离子注入系统及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010131679.X
IPC分类号：H01J37/317;H01J37/147
申请日期：
2010-03-24
申请人：
上海凯世通半导体有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	离子注入系统及方法
申请号	CN201010131679.X	申请日期	2010-03-24
法律状态	暂无	申报国家	暂无
公开/公告日	2011-09-28	公开/公告号	CN102201321A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/317 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/30 物体局部处理用的电子束管或离子束管 H01J37/317 用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入（H01J 37/36优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;1;7;;;H;0;1;J;3;7;/;1;4;7查看分类表>
申请人	上海凯世通半导体有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海凯世通半导体股份有限公司	当前权利人	上海凯世通半导体股份有限公司
发明人	陈炯
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	薛琦;朱水平

摘要

本发明公开了一种离子注入系统，其包括：一离子源和一引出装置，一质量分析磁铁，一第一加速减速装置，一偏转磁铁，一第二加速减速装置，一工件扫描装置；该偏转磁铁使该预设荷质比范围内的离子束发散；该系统还包括一设于该偏转磁铁与该第二加速减速装置之间的校正磁铁，用于将被该偏转磁铁偏转并发散的该预设荷质比范围内的离子束校正至预设注入角度。本发明还公开了一种利用上述离子注入系统实现的离子注入方法。本发明可以提高对较大尺寸的晶圆工件进行注入时的剂量均匀性，从而提高生产效率，并且还可以极大地节省对整个离子注入系统进行全面升级而耗费的成本。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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