半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910168197.9
IPC分类号：H01L29/06;H01L29/861;H01L21/04;H01L21/329;H01L27/04
申请日期：
2009-09-03
申请人：
三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN200910168197.9	申请日期	2009-09-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-03-10	公开/公告号	CN101667590
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;1;/;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;7;/;0;4查看分类表>
申请人	三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社	申请人地址	日本国大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三洋电机株式会社,三洋半导体株式会社,三洋半导体制造株式会社	当前权利人	三洋电机株式会社,三洋半导体株式会社,三洋半导体制造株式会社
发明人	铃木彰;土屋尚文;龟山工次郎
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周长兴

摘要

一种既可抑制制造成本，又可谋求与保护环相接的PN接合部的耐压性提升的半导体器件及其制造方法。本发明是在半导体衬底(10)的表面形成N-型半导体层，且在其上层形成P型半导体层。在P型半导体层上形成绝缘膜。之后，形成从绝缘膜至N-型半导体层的厚度方向的途中的多个沟，即第1沟、第2沟及第3沟。多个沟在其中彼此邻接的2个沟中，接近电子元件侧，即接近阳极电极侧的沟形成为比该沟靠外侧的另一沟更浅。之后，在第1沟内、第2沟内及第3沟内充填绝缘材料。之后，将由半导体衬底及叠层于其上层的各层所构成的叠层体，沿着切割线进行切割。

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