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干刻蚀设备

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810395974.2
  • IPC分类号:H01J37/32;H01L21/67
  • 申请日期:
    2018-04-27
  • 申请人:
    武汉华星光电技术有限公司
著录项信息
专利名称干刻蚀设备
申请号CN201810395974.2申请日期2018-04-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-09-28公开/公告号CN108597978A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/32IPC分类号H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人武汉华星光电技术有限公司申请人地址
湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉华星光电技术有限公司当前权利人武汉华星光电技术有限公司
发明人吴帆
代理机构深圳市德力知识产权代理事务所代理人林才桂;程晓
摘要
本发明提供一种干刻蚀设备,包括用于对基板进行干法刻蚀的工艺腔,所述工艺腔内设置有上电极部及下电极部,所述上电极部、下电极部及工艺腔壁之间构成等离子体真空放电区,所述下电极部包括下电极板、静电吸附平台及边缘的边缘保护板,所述工艺腔壁上覆盖有周边保护件,所述边缘保护板以及周边保护件与等离子体真空放电区相连接的表面均涂覆有一层氧化钇的保护膜,能够有效延长边缘保护板和周边保护件的使用寿命,从而有效提高干刻蚀设备的保养周期,增加干刻蚀设备的正常工作时间,降低耗材费用,减少维护成本及产能损失。

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