一种基于0.13umSiGeBiCMOS工艺的三次谐波混频器

发明专利有效专利

申请号：
CN201710947957.0
IPC分类号：H03D7/14
申请日期：
2017-10-12
申请人：
机比特电子设备南京有限公司

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专利名称	一种基于0.13umSiGeBiCMOS工艺的三次谐波混频器
申请号	CN201710947957.0	申请日期	2017-10-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-19	公开/公告号	CN107612508A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03D7/14 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03D 由一个载频到另一载频对调制进行解调或变换（微波激射器、激光器入H01S；调制器和解调器都可应用的电路入H03C，例如平衡调制器H03C 1/54；调制器和变频器都可应用的零部件入H03C；脉冲解调入H03K 9/00；经连续变量信号调制的脉冲调制形式的变换入H03K 11/00；；中继系统，例如中继站入H04B 7/14；用于数字调制载波系统的解调器入H04L 27/00；用于彩色电视的同步解调器入H04N 9/66） H03D7/00 从一个载频到另一载频调制的变换，例如频率变换（H03D 9/00，H03D 11/00优先；用作变频器的介质放大器、磁放大器、参量放大器入H03F） H03D7/14 平衡装置	IPC分类号	H;0;3;D;7;/;1;4查看分类表>
申请人	机比特电子设备南京有限公司	申请人地址	江苏省南京市江宁经济开发区将军大道37号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	机比特电子设备南京有限公司	当前权利人	机比特电子设备南京有限公司
发明人	邵振海;黄涛
代理机构	成都正华专利代理事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的三次谐波混频器，包括倍频电路和与倍频电路连接的混频电路；倍频电路包括BJT1、BJT2和BJT3；BJT1的基极为倍频电路的输入端，BJT1的集电极与BJT2的基极电连接；BJT2的集电极与BJT3的基极电连接；混频电路包括BALUN、RF BALUN和Gilbert混频单元；Gilbert混频单元包括共发射极的BJT4和BJT5以及BJT6和BJT7；BJT4和BJT5的发射极与BJT8的集电极连接；BJT6和BJT7的发射极与BJT9的集电极连接；BALUN的一输出端分别与BJT4和BJT7的基极电连接，其另一输出端分别与BJT5和BJT6的基极电连接；RF BALUN的输出端分别与BJT8和BJT9的基极电连接。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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