一种增强型高性能Z源逆变器

发明专利无效专利

申请号：
CN201810028660.9
IPC分类号：H02M7/5387
申请日期：
2018-01-12
申请人：
哈尔滨理工大学

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著录项信息

专利名称	一种增强型高性能Z源逆变器
申请号	CN201810028660.9	申请日期	2018-01-12
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-05-29	公开/公告号	CN108092539A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02M7/5387 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节（专用于没有可动部件的电子时钟的电流或者电压的变换入G04G 19/02；调节电或磁变量的系统，例如用变压器、电抗器、或扼流圈及这种系统与静止变换器的组合，一般入G05F；用于数字计算机的入G06F 1/00；变压器入H01F；与类似的或其他供电电源联合运行的一个变换器的连接或控制入H02J；机电变换器入H02K 47/00；控制变压器、电抗器或扼流圈、电动机、发电机或机电变换器的控制调节入H02P；脉冲发生器入H03K）〔4，5〕 H02M7/00 交流功率输入变换为直流功率输出；直流功率输入变换为交流功率输出 H02M7/42 不可逆的直流功率输入变换为交流功率输出的 H02M7/44 利用静态变换器的 H02M7/48 应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件的〔1，2007.01〕 H02M7/53 利用需要连续应用控制信号的三极管或晶体管器件的〔2〕 H02M7/537 仅用半导体器件的，例如，单开关脉冲逆变器〔2〕 H02M7/5387 在桥式结构中的〔4，2007.01〕	IPC分类号	H;0;2;M;7;/;5;3;8;7查看分类表>
申请人	哈尔滨理工大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨理工大学	当前权利人	哈尔滨理工大学
发明人	颜景斌;刘思;李冠达
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种增强型高性能Z源逆变器，包括直流电源V0、二极管D7、输入电容C3、开关管SW7和三相逆变器，其还包括由开关电感、二极管、电感和电容组成的Z源网络，其特点是由开关电感代替传统Z源网络的单一电感。Z源网络串联于功率二极管SW7和三相逆变桥之间。二极管D7阳极与直流电源V0正极相连。功率二极管SW7阳极同二极管D7阴极，电容C3一端相连。电容C3另一极与直流电源V0负极、Z源网络相连。传统Z源逆变器相比，本发明能够消除由于Z源网络电感值较小或在轻载模式下导致的直流链电压畸变，从而消除了传统Z源逆变的非正常工作状态；对负载的适应能力很强，能够适应负载的大范围变动；能够显著地提升逆变器的升压能力，实现高调制因子，提高整个逆变器的输出质量；同时有效的减小了Z源网络电容电压应力，从而减小了逆变器的体积和重量。

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