一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810863619.3
IPC分类号：H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17
申请日期：
2018-08-01
申请人：
河源市众拓光电科技有限公司

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专利名称	一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
申请号	CN201810863619.3	申请日期	2018-08-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-02-01	公开/公告号	CN109302158A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H3/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H3/00 专用于制造阻抗网络、谐振电路、谐振器的设备或方法 H03H3/007 用于制造机电谐振器或网络〔3〕 H03H3/02 用于制造压电或电致伸缩谐振器或网络（H03H 3/08优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;3;/;0;2;;;H;0;3;H;9;/;0;2;;;H;0;3;H;9;/;1;7查看分类表>
申请人	河源市众拓光电科技有限公司	申请人地址	广东省广州市黄埔区金中路23号自编一栋办公区303房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广州市艾佛光通科技有限公司	当前权利人	广州市艾佛光通科技有限公司
发明人	李国强
代理机构	广州容大知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新年

摘要

本发明公开了一种薄膜体声波谐振器，包括生长衬底、压电薄膜、顶电极和底电极；压电薄膜在生长衬底上外延生长出，压电薄膜的上表面制备得到顶电极，生长衬底上深刻蚀有下引孔，下引孔贯穿成长衬底和压电薄膜；生长衬底的背面刻蚀形成空腔，生长衬底的下表面制备得到底电极。本发明还提供一种薄膜体声波谐振器的制备方法。本发明的薄膜体声波谐振器结构简单，不易塌陷，可以很好的改善压电膜的品质，将成为适用于未来高频、高功率场合下射频滤波器的解决方案。

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