一种多层金属覆膜氮化硅陶瓷基板及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110420810.2
IPC分类号：C04B41/90
申请日期：
2021-04-19
申请人：
清华大学

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著录项信息

专利名称	一种多层金属覆膜氮化硅陶瓷基板及制备方法
申请号	CN202110420810.2	申请日期	2021-04-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-18	公开/公告号	CN112979351A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B41/90 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B41/00 砂浆、混凝土、人造石或陶瓷的后处理；天然石的处理（冷釉料之外的釉料入C03C 8/00）〔3〕 C04B41/80 仅对陶瓷的〔4〕 C04B41/81 涂覆或浸渍〔4〕 C04B41/89 形成至少两层具有不同组成的叠加层的〔4〕 C04B41/90 至少有一层是金属〔4〕	IPC分类号	C;0;4;B;4;1;/;9;0查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区清华园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	潘伟;刘广华
代理机构	北京安信方达知识产权代理有限公司	代理人	刘凯强;张奎燕

摘要

本申请公开了一种多层金属覆膜氮化硅陶瓷基板及制备方法。所述制备方法分别选用金属钛或钛合金粉体，金属铜或铜合金粉体，通过大气等离子喷涂技术将金属或金属合金粉体在熔融状态下喷涂在覆盖有特定图案掩模版的氮化硅陶瓷基板表面，调整诸多工艺参数和等离子体喷枪结构制备出金属层与氮化硅陶瓷界面结合强度高、电导率高的多层金属覆膜氮化硅陶瓷基板。本发明直接将金属或金属合金粉末喷涂在敷盖有电路图案的掩模的氮化硅陶瓷基板上，得到不同图案且线宽精度高的多层金属覆膜电路陶瓷基板。

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