晶界相改性的烧结钕铁硼稀土永磁材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910142712.6
IPC分类号：H01F1/057;H01F1/08;B22F9/04;B22F3/16
申请日期：
2009-05-31
申请人：
株式会社日立制作所;上海交通大学

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专利名称	晶界相改性的烧结钕铁硼稀土永磁材料及其制备方法
申请号	CN200910142712.6	申请日期	2009-05-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-12-01	公开/公告号	CN101901658A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F1/057 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F1/00 按所用磁性材料区分的磁体或磁性物体；磁性材料的选择 H01F1/01 无机材料的（H01F 1/44优先）〔6〕 H01F1/03 按其矫顽力区分的〔6〕 H01F1/032 硬磁材料的〔6〕 H01F1/04 金属或合金〔6〕 H01F1/047 按其成分区分的合金〔5，6〕 H01F1/053 含稀土金属的〔5，6〕 H01F1/055 和磁性过渡金属的，如SmCo5〔6〕 H01F1/057 和Ⅲa族元素，如Nd2Fe14B〔6〕	IPC分类号	H;0;1;F;1;/;0;5;7;;;H;0;1;F;1;/;0;8;;;B;2;2;F;9;/;0;4;;;B;2;2;F;3;/;1;6查看分类表>
申请人	株式会社日立制作所;上海交通大学	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社日立制作所,上海交通大学	当前权利人	株式会社日立制作所,上海交通大学
发明人	小室又洋;張澜庭;刘琼珍;单爱党;沈丽萍
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	李帆

摘要

本发明提供一种晶界相改性的烧结钕铁硼稀土永磁材料及其制备方法。所述的晶界相改性的烧结钕铁硼稀土永磁材料是指晶界相包含有序的fcc结构的ROF化合物的R-Fe-M-B基稀土永磁体。R为稀土元素Nd、Pr、Dy、Tb和Y中的一种或几种，M为Al、Cu、Ga、Nb、Mg、Si和Mo元素中的一种或几种。晶界相的主要元素为R、O和F元素，其中R∶O∶F≈1∶1∶1(原子百分比)。所述的制备方法是指通过控制烧结和二次回火的温度和冷却速率，使添加的能与钕铁硼磁体的晶界富R相相熔合的氟化物中的F原子和晶界相中的O原子在晶格中有序排列，以构成有序的fcc晶界相。该有序的fcc晶界相具有更好的去磁耦合作用，有利于提高磁体的矫顽力，最大程度的降低了Dy、Tb的使用。

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