薄膜晶体管的制造方法、以及显示装置的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910128713.5
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/027;H01L21/84;G02F1/1362
申请日期：
2009-03-10
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	薄膜晶体管的制造方法、以及显示装置的制造方法
申请号	CN200910128713.5	申请日期	2009-03-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-09-16	公开/公告号	CN101533781
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县厚木市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	宫入秀和;沟口隆文
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	柯广华;王丹昕

摘要

本发明的名称为薄膜晶体管及其制造方法、显示装置及其制造方法，提供了一种薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤：利用第一抗蚀剂掩模形成遮光层；在遮光层上形成基底膜；在基底膜上依次层叠第一导电膜、第一绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、以及第二导电膜；利用第二导电膜上的第二抗蚀剂掩模对第二导电膜、杂质半导体膜、半导体膜、第一绝缘膜进行第一蚀刻；对第一导电膜的一部分进行引起侧面蚀刻的第二蚀刻来形成栅电极层；利用第三抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层、源区域及漏区域、以及半导体层，其中第一抗蚀剂掩模和第二抗蚀剂掩模使用同一个光掩模形成。

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