光半导体集成元件

发明专利有效专利

申请号：
CN201980077577.3
IPC分类号：H01S5/026;H01S5/16
申请日期：
2019-01-09
申请人：
三菱电机株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	光半导体集成元件
申请号	CN201980077577.3	申请日期	2019-01-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-17	公开/公告号	CN113273043A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/026 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/02 基本上不涉及激光作用的结构零件或组件〔7〕 H01S5/026 单块集成组件，例如波导、监测激励器（输出稳定入H01S 5/06）〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;2;6;;;H;0;1;S;5;/;1;6查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱电机株式会社	当前权利人	三菱电机株式会社
发明人	森田佳道
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	李洋;王培超

摘要

本发明的光半导体集成元件具备：激光二极管部(20)，其设置于n型InP基板(10)的表面；光斑尺寸变换部(30)，其设置于n型InP基板(10)的表面，由传输射出的激光束并且是两侧沿激光束的传输方向变得尖细的锥形状的芯层(32)、芯层(32)的表面侧的p型InP包层(33)、芯层(32)的背面侧的n型InP包层(31)、设置于芯层(32)的两侧的第一包层的n型InP包层(34a、34b)、以及设置于p型InP包层(33)和第一包层的各表面的第二包层的p型InP包层(27)构成；窗区域(40)，其设置于芯层(32)的前端侧的n型InP基板(10)的表面；以及监控PD(50)，其设置于窗区域(40)的表面，使第一包层的折射率比第二包层的折射率低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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