芯片的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910349136.6
IPC分类号：H01L21/304;H01L21/782;B23K26/38
申请日期：
2019-04-28
申请人：
株式会社迪思科

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	芯片的制造方法
申请号	CN201910349136.6	申请日期	2019-04-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-22	公开/公告号	CN110491784A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/304 机械处理，例如研磨、抛光、切割〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;7;8;2;;;B;2;3;K;2;6;/;3;8查看分类表>
申请人	株式会社迪思科	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社迪思科	当前权利人	株式会社迪思科
发明人	淀良彰;赵金艳
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	乔婉;于靖帅

摘要

提供芯片的制造方法，不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。该芯片的制造方法包含如下的步骤：第1激光加工步骤，沿着分割预定线仅对芯片区域照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束，形成沿着芯片区域的分割预定线的第1改质层；第2激光加工步骤，沿着芯片区域与外周剩余区域的边界照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束，形成沿着该边界的第2改质层；以及分割步骤，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个芯片，在分割步骤中，通过一次的冷却或加热来赋予力而将被加工物分割成各个芯片。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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