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制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710170055.7
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/31
  • 申请日期:
    2007-11-09
  • 申请人:
    国际商业机器公司;三星电子株式会社
著录项信息
专利名称制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
申请号CN200710170055.7申请日期2007-11-09
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2008-08-13公开/公告号CN101241860
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1查看分类表>
申请人国际商业机器公司;三星电子株式会社申请人地址
美国纽约 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人国际商业机器公司,三星电子株式会社当前权利人国际商业机器公司,三星电子株式会社
发明人德利普·R.·纳尔;陈向东;金田中;梁大源;克里斯托弗·V.·拜奥考;朴哉彦
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人王永刚
摘要
一种制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法,通过以下步骤形成晶体管:在衬底上方将栅结构图案化;在栅结构的侧面上形成间隔件;在栅叠层的交替的侧面,在衬底内形成导体区域。栅结构和导体区域形成晶体管。为了减少大功率等离子引入的损伤,本方法最初对晶体管施加第一功率水平的等离子以在晶体管上方形成第一应力层。在施加第一低功率等离子之后,本方法对晶体管施加具有第二功率水平的第二等离子以在第一应力层上方形成第二应力层。第二功率水平比第一功率水平高(例如,至少高5倍)。

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