首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

在原子层沉积反应器中形成衬底卷材轨迹

发明专利无效专利

申请号：
CN201380077818.7
IPC分类号：C23C16/455
申请日期：
2013-06-27
申请人：
皮考逊公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	在原子层沉积反应器中形成衬底卷材轨迹
申请号	CN201380077818.7	申请日期	2013-06-27
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-05-04	公开/公告号	CN105555998A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/455 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/455 向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;5;5查看分类表>
申请人	皮考逊公司	申请人地址	芬兰埃斯波变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	皮考逊公司	当前权利人	皮考逊公司
发明人	T·马利南;V·基尔皮
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	李辉;吕世磊

摘要

用于通过使第一组支撑辊(17，27，37)关于第二组支撑辊(18，28)移动而将具有重复图案的衬底卷材(15)轨迹形成到沉积反应器(10)的反应空间中的设备和方法。本发明的一个效果是自动的轨迹形成。另一效果是通过经由穿过用于衬底卷材的第一组支撑辊行进的路线将气体从反应空间中去除而获得自顶至底的流动的可能性。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供