一种半导体器件的制备装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202011451336.1
IPC分类号：H01L21/50;H01L21/56;H01L21/48;H01L21/67;H01L21/677
申请日期：
2020-12-10
申请人：
深圳市冠禹半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体器件的制备装置
申请号	CN202011451336.1	申请日期	2020-12-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-30	公开/公告号	CN112582280A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;7查看分类表>
申请人	深圳市冠禹半导体有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区西乡街道南昌社区航城大道华丰国际机器人产业园C栋七层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市冠禹半导体有限公司	当前权利人	深圳市冠禹半导体有限公司
发明人	高苗苗
代理机构	北京恒泰铭睿知识产权代理有限公司	代理人	何平

摘要

本发明涉及半导体器件技术领域，且公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，包括封装壳体和底板。通过与现有技术相比，本发明可避免半导体器件因封装不良可能导致的接触不良和封装不彻底问题，进而能够保证半导体器件在使用过程中与各元器件之间的连接稳定，同时可避免封装不彻底造成的元器件引脚之间可能的相互接触，防止由此引发的短路问题，有效的保证了半导体器件使用时的安全性和可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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