一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202120584004.4
IPC分类号：G01R31/26
申请日期：
2021-03-22
申请人：
深圳吉华微特电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构
申请号	CN202120584004.4	申请日期	2021-03-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人	深圳吉华微特电子有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙岗区龙城街道龙岗天安数码创新园二号厂房A1201 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳吉华微特电子有限公司	当前权利人	深圳吉华微特电子有限公司
发明人	刘少博;王大明;苏晓山
代理机构	深圳市中科创为专利代理有限公司	代理人	冯建华;刘曰莹

摘要

本实用新型公开一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，包括：金属底座、设置在所述金属底座上的导电板、设置在所述金属底座上侧的固定组件；所述导电板上设置有若干导线、测试位，所述导电板的两端上均设置有一豁口；所述豁口与所述测试位相连通，所述固定组件用于将待测试的MOSFET器件固定在所述导电板的测试位上。本实用新型可快速实现贴片封装式MOSFET器件的最大额定功率的老炼测试，且测量结果误差小，精度高。

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