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一种高电子迁移率晶体管的栅结构及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110888711.7
  • IPC分类号:H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335
  • 申请日期:
    2021-08-03
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所;天津环鑫科技发展有限公司
著录项信息
专利名称一种高电子迁移率晶体管的栅结构及其制备方法
申请号CN202110888711.7申请日期2021-08-03
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-30公开/公告号CN113725288A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/423IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所;天津环鑫科技发展有限公司申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所,天津环鑫科技发展有限公司当前权利人中国科学院微电子研究所,天津环鑫科技发展有限公司
发明人张昇;魏珂;王鑫华;刘新宇;王万礼;张新玲;张俊芳
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人任岩
摘要
一种高电子迁移率晶体管的栅结构,包括:栅极,设于高电子迁移率晶体管的源极和漏极之间,两个栅下凹槽,刻蚀形成于高电子迁移率晶体管的势垒层,栅极的栅脚设于两个栅下凹槽之间,其中,部分栅脚至少设于两个栅下凹槽其中一个中。本公开还提供了该栅结构的制备方法。本公开提供的一种高电子迁移率晶体管的栅结构,可以有效调节高电子迁移率晶体管内部的电场分布,以提高其工作电压,增大其输出功率,还可以通过调节栅极的位置,提高高电子迁移率晶体的栅控能力。

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