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多晶硅-绝缘体-多晶硅电容结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810204970.8
  • IPC分类号:H01L29/92;H01L27/04;H01L27/115
  • 申请日期:
    2008-12-30
  • 申请人:
    上海宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称多晶硅-绝缘体-多晶硅电容结构
申请号CN200810204970.8申请日期2008-12-30
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2009-06-24公开/公告号CN101465384
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/92
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;9;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5查看分类表>
申请人上海宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市张江高科技园区郭守敬路818号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海宏力半导体制造有限公司当前权利人上海宏力半导体制造有限公司
发明人顾靖
代理机构上海思微知识产权代理事务所代理人郑玮
摘要
本发明提出一种多晶硅—绝缘体—多晶硅电容结构,其包括:多晶硅基底以及其上依次设置的第一多晶硅层,绝缘层以及第二多晶硅层,其中所述第一多晶硅层作为电容的一端,所述第二多晶硅层和所述多晶硅基底作为电容的另一端。进一步的,该电容结构设置于有源区构成电容并联,利用有源区和第一多晶硅层构成的电容与第一多晶硅层和第二多晶硅层构成的电容并联,增加了电容值。本发明提出的多晶硅—绝缘体—多晶硅电容结构,具有更大的电容值,同时可以有效节省版图面积。

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