一种基于基片集成波导的同轴谐振腔及其滤波器

发明专利有效专利

申请号：
CN202010222108.0
IPC分类号：H01P7/04;H01P7/06;H01P1/205;H05K1/14;H05K3/36
申请日期：
2020-03-26
申请人：
成都频岢微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种基于基片集成波导的同轴谐振腔及其滤波器
申请号	CN202010222108.0	申请日期	2020-03-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-24	公开/公告号	CN111446532A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P7/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P7/00 波导型谐振器 H01P7/04 同轴谐振器	IPC分类号	H;0;1;P;7;/;0;4;;;H;0;1;P;7;/;0;6;;;H;0;1;P;1;/;2;0;5;;;H;0;5;K;1;/;1;4;;;H;0;5;K;3;/;3;6查看分类表>
申请人	成都频岢微电子有限公司	申请人地址	四川省成都市郫都区德源镇(菁蓉镇)田坝东街6号4楼401室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都频岢微电子有限公司	当前权利人	成都频岢微电子有限公司
发明人	董元旦;朱谊龙
代理机构	成都正华专利代理事务所（普通合伙）	代理人	李蕊

摘要

本发明提供了一种基于基片集成波导的同轴谐振腔及其滤波器，包括紧密贴合的两层厚度不同且四周均设置有金属化过孔的PCB板，以及中心短路的金属化圆盘。滤波器包括第一同轴谐振腔、第二同轴谐振腔、第三同轴谐振腔和第四同轴谐振腔，以及输入输出端口结构。本发明利用谐振腔的同轴谐振模式形成通带，该滤波器工作于同轴谐振模式，四个谐振腔构成四阶的滤波器；本发明通过在非相邻腔体之间引入交叉耦合，能在滤波器的通带右侧产生一个传输零点，提高滤波器的上边带的选择性。本发明通过以上设计，其滤波器具有抑制基片集成波导同轴谐振腔高次模式的特性，带外抑制度高，具有较宽阻带抑制性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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