形成存储器有源层图案的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010110480.9
IPC分类号：H01L21/8247
申请日期：
2010-02-09
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	形成存储器有源层图案的方法
申请号	CN201010110480.9	申请日期	2010-02-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-10	公开/公告号	CN102148200A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8247	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	李承赫;杨青
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	董巍;顾珊

摘要

本发明提供了一种形成存储器有源层图案的方法，所述有源层图案包括多个彼此平行的第一线条和与所述第一线条相互垂直、且彼此平行的多个第二线条，所述方法包括：在前端器件层上涂敷负光刻胶；分别使用第一掩膜和第二掩膜进行两次曝光，以分别形成第一线条和第二线条。根据本发明的方法能够形成满足工艺要求的瓶颈区域，改善快闪存储器元件的电学性能并提高良品率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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