LED外延片沉积方法和LED外延片沉积设备

发明专利无效专利

申请号：
CN201210592958.5
IPC分类号：C30B25/16;C30B29/38;H01L33/00
申请日期：
2012-12-29
申请人：
光达光电设备科技（嘉兴）有限公司

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著录项信息

专利名称	LED外延片沉积方法和LED外延片沉积设备
申请号	CN201210592958.5	申请日期	2012-12-29
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-05-08	公开/公告号	CN103088416A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 C30B25/02 外延层生长〔3〕 C30B25/16 控制或调节（一般的控制或调节入G05）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;1;6;;;C;3;0;B;2;9;/;3;8;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	光达光电设备科技（嘉兴）有限公司	申请人地址	浙江省嘉兴市海盐县盐北路211号科创园西区1号楼3楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	光达光电设备科技（嘉兴）有限公司	当前权利人	光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
发明人	林翔;梁秉文
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本发明涉及一种LED外延片沉积方法及用于实施该方法的LED外延片沉积设备。所述LED外延片包括衬底、N型氮化III族材料层、氮化III族材料量子阱层和P型氮化III族材料层；所述LED外延片沉积方法包括：提供一反应腔，衬底被放置到反应腔中；在所述反应腔中加热所述衬底；向所述反应腔中通入包含氮气的反应腔环境气体；向所述反应腔中通入氮源气体和III族源；所述氮源气体和所述III族源在所述反应腔环境气体环境中反应并在所述衬底上沉积形成所述N型氮化III族材料层、所述氮化III族材料量子阱层和所述P型氮化III族材料层。本发明的LED外延片沉积方法能够提高LED外延片的沉积速率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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