一种隔离环组件、等离子体处理装置及处理方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010462098.8
IPC分类号：H01J37/32;H01L21/67
申请日期：
2020-05-27
申请人：
中微半导体设备（上海）股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种隔离环组件、等离子体处理装置及处理方法
申请号	CN202010462098.8	申请日期	2020-05-27
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-12-03	公开/公告号	CN113745081A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	中微半导体设备（上海）股份有限公司	申请人地址	上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司	当前权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司
发明人	杨金全;黄允才;苏兴才;魏强
代理机构	上海元好知识产权代理有限公司	代理人	包姝晴;张静洁

摘要

本发明公开了一种等离子体处理装置，等离子体处理装置包括真空反应腔和设于真空反应腔的上电极与下电极，上电极与下电极之间形成一处理区域，上电极与下电极之间产生射频电场，用以将反应气体解离为等离子体，真空反应腔内设置一隔离环组件，隔离环组件包括：第一隔离环，环绕设置于上电极外周，包括一内壁表面，第一隔离环可在第一位置和第二位置之间移动，第一隔离环位于第一位置，内壁表面与上电极的外周相对，第一隔离环位于第二位置，内壁表面暴露于上电极和下电极形成的处理区域内；第二隔离环，环绕设置于第一隔离环外周。本申请使得隔离环与电极对应的缝隙处能够彻底清理，降低了后续对基片处理造成潜在污染的风险。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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