人脸识别芯片的封装结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201720931793.8
IPC分类号：H01L21/56;H01L21/60;H01L23/49;H01L23/10;H01L23/31;G06K9/00
申请日期：
2017-07-28
申请人：
中芯长电半导体（江阴）有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	人脸识别芯片的封装结构
申请号	CN201720931793.8	申请日期	2017-07-28
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/56 封装，例如密封层、涂层〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;;;H;0;1;L;2;3;/;1;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;G;0;6;K;9;/;0;0查看分类表>
申请人	中芯长电半导体（江阴）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	盛合晶微半导体（江阴）有限公司	当前权利人	盛合晶微半导体（江阴）有限公司
发明人	陈彦亨;林正忠
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	罗泳文

摘要

本实用新型提供一种人脸识别芯片的封装结构，包括：重新布线层，其第一面具有凸点下金属及金属凸块；人脸识别芯片，装设于重新布线层的第二面上，实现导线与重新布线层的电性连接；玻璃盖板，封装于所述人脸识别芯片上；导线，连接于人脸识别芯片的焊盘及重新布线层；封装材料，包围于所述人脸识别芯片、导线以及所述玻璃盖板四周，且露出所述玻璃盖板。本实用新型采用封装材料包围式的封装人脸识别芯片，具有较强的机械性能；结构较简单，可有效降低封装的成本；本实用新型的人脸识别芯片创新的采用扇出型封装结构，封装密度高，可有效降低封装体积。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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