半导体器件及其制造法

发明专利有效专利

申请号：
CN85107077
IPC分类号：--
申请日期：
1985-09-24
申请人：
株式会社东芝

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造法
申请号	CN85107077	申请日期	1985-09-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	1986-10-01	公开/公告号	CN85107077
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本神奈川县川崎市幸区堀川镇72番地变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	马场博之;松崎隆
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利代理部	代理人	杜日新

摘要

本发明半导体器件之所以在高温环境中或高温高湿环境中显示出极好的电气性能，是因为以反应层厚度大于等于０．２（微米）的方式，将铝焊线的端部连接于铜或铜合金引线电极。本发明提供的半导体器件制造方法，由于采用了将铝焊线连接于铜或铜合金引线框架的键合区，进行热处理，而使得铜或铜合金与铝的反应层厚度大于等于０．２（微米）的步骤，因而能够容易地制作，可在高温环境中或高温高湿环境中显示极好电气性能的高可靠半导体器件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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